当前位置: 首页> 手机频道

英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%

发布时间:20-06-30

202╪0年ⓥ美光三星等公司会推出新一代的℡DDR5内存,最К高速←率可达6℡400Mbps,将逐步取代DDR4内存。现在的D○RAM内存技╤术还在升级,但是技术瓶颈也日趋明显,研究人员正在寻找新的内存替代技术,英国∈就①找到了新方向——全新内存延迟可低至10ns▲,功耗仅有现在1%。

多年来人们一直在寻求完美的&ldquo๑;内存”芯片,它既需要低延迟、高带宽,也要功耗低(不需要频繁刷↔新),同时还得容量大,成♦本低,更重要的是具备断电不损失数据的特性,可以说是N‖ANↆD闪存及D〾RAM内存的Ⅻ完美体。

这么多要求,做起来可真不容易,In¤tel的傲腾内存是基于❤PCM相变内存技术的,在可靠性、延迟等问题上已经大幅领先现在的闪存,更接近DRAM内存ↇ芯片了,不过超越内ъ存还达不到︱︳。

日前外媒报道称,英国的研究人员找到╩了一种新型的∵&ldq♀uo;内存&rdq≮uo;,▣▤▥◘它使用灬的是III°゜-V族材料,主要是InAs砷化铟和AlSεїзb锑化铝,用这些材料制成的NVDRAM非易失性内存具备优秀的λ特性,在同样的性能下开关能量低了100倍,也就是说功耗只有现有DRAM内存的1%,同时延迟可低۞۞至10ns。

总之,这в种新型材┚料制成〖的内存芯片具备三大特性&∩mdas⊿h;—超低功耗、写入不破坏数据、▀非易失性,其性能相比现在的DRAM内存倒是没多大提升,10ns级≒别的延迟跟▷DDR4内存差不多,但是上面三条特性,尤其是非易失性就足够让“◣内存”革命了。

不过也没法高兴太早,英国研发人员々现在只是⊕找到╟了新一代III-V材料内存的理论方向,真正大规模制造这种┙内存还是没影的◆事,ↅ〓就像是像传了很久的MRAM、PCM、RRAM芯片一样。